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基于最近的PCB设计倾向，提高效率成为重要目标，为了得到更好的EMI而采用慢开关元件的折衷没有价值。超级连接可以在平面MOSFET不容易的应用中提高效率。超级接合MOSFET与以往的平面MOSFET技术相比，能够显著降低导通电阻以及寄生容量。导通电阻的显著减少和寄生容量的减少有助于提高效率，但是也产生电压dv/dt）和电流di/dt）的高速转换，形成高频噪声和辐射EMI。
要驱动快速开关超级诺特MOSFET，需要理解包装及PCB设计布局对开关性能的影响以及使用超级诺特的PCB设计布局调整。主要使用了500~600V的超级连接MOSFET。工业标准TO，在这些电压额定值中？220、TO247、TO3P以及TO？263是最广泛应用的包。由于内部栅极和源极绑定线长固定，所以对封装性能的影响有限。可以只改变销的长度来减少封装源极的电感。
如图1（a）所示，10nH的典型引线电感看起来不大，但这些MOSFET的di/dt可以简单地达到500A/mu。s！di/假设dt是500A/mu。s，10nH导通上的电压为VIND=5V；另一方面，10nH引线的关断di/dt为1、000A/mu。s可以产生VIND＝10V的电压。许多应用和设计没有考虑到这个附加电感也产生电压，但是这一点不能忽视。从以上的简单计算可知，封装的总源极电感，即绑定线和引脚电感必须降低到可接受的数值。噪音的另一个来源是布局寄生效果。具有寄生电感和寄生容量两种可见布局寄生效果。1cm走线的电感为6？是10nH，PCB通过在顶部添加层，PCB在底部添加GND层，能够降低该电感值。另一种类型是寄生容量。
图1（b）表示布局中的电容寄生效果的原理。寄生电容是由于两个邻近布线之间或布线与另一侧的地面之间。另一个容量是设备和地表之间的容量。PCB板两面的两条并行线可以增加电容，减少电路电感，减少电磁噪声辐射。如果在下次的设计中需要超级诺特MOSFET，请考虑这些布局提示。
MOSFET是单极性元件，因此寄生容量是开关过渡的唯一限制因子。电荷平衡原理降低特定面积的导通电阻，与标准MOSFET技术相比，相同RDS（ON）下的芯片尺寸更小。图1表示超连接MOSFET以及标准平面型MOSFET的容量。标准MOSFET的Coss是中等线性变化关系，超结MOSFET的Coss曲线表示高度的非线性关系。由于单元密度高，所以超级连接MOSFET的Coss的初始值高，但是在超级连接MOSFET中，如图2所示，在约50V的漏极电压附近Coss急速下降。当使用超连接MOSFET应用于PFC或DC/DC转换器时，这些非线性效应可能引起电压和电流振荡。图3示出了包括电力MOSFET的内部寄生元件和外部振荡电路在内的简化PFC电路的示意图，外部振荡电路是基于布板的外部耦合电容Cgdext.）。
图2：平面型MOSFET和超级连接MOSFET的输出容量的比较
一般来说，有多个振荡电路影响包括内部和外部振荡电路MOSFET的开关特性。在图3的PFC电路中，L、Co、Dboost分别是电感、输出容量、升压二极管。Cgs、Cgd_int和Cds是电力MOSFET的寄生容量。LD1、Ls1和Lg1是功率MOSFET的漏极、源极和栅极线以及引脚电感。Rg_int及Rgext是功率MOSFET的内部栅极电阻和电路的外部栅极驱动电阻。Cgd_ext是电路的寄生门？漏极容量。LD、LS和LG是印刷电路板PCB的漏极、源极和门灯分离电导。当MOSFET导通或关断时，栅极寄生振荡通过栅极漏极电容Cgd和栅极导通电感Lg1在谐振电路内发生。
图3：包括功率MOSFET内外部寄生元件PFC电路示意图
共振条件（omega；L=1/omega;在C）中，由栅极和源极电压生成的振动电压比驱动电压大得多。由谐振变化引起的电压振动与质量系数成比例，Q（=omega；L/R=1/omega;CR）。漏极寄生电感LD+Ld1、闸门？漏极电容Cgd和栅极引线电感Lg1网络在MOSFET断开时产生栅极振荡电压。栅极电阻（RG-ext.+Rg_int.）极小Q就大。另外，LS两端的电压下降及Ls1源极杂散电感为栅极？源极在电压下产生振动，可以用式（1）表示。寄生振动可能导致门源极的破坏、不良EMI、大的开关损失、门控制的失效、甚至MOSFET故障。
优化电路设计，在不产生负面影响的情况下最大限度地提高超级连接MOSFET的性能是非常重要的。
